Einführung in die Elektrotechnik II

Lehre im Sommersemester 2022

Informationen siehe Aktuelles

Nichtlineare Widerstände
- Varistor
- Thermistoren (NTC, PTC)
Dioden
- Physikalische Grundlagen
- Silizium- /Germaniumdioden
- Anwendungen: Gleichtrichterschaltungen (Halb- und Vollwellengleichrichter), Ladungspumpe, Freilaufdiode
- Z-Diode
- Anwendungen: Spannungsstabilisierung, Spannugnsbegrenzung
- Weitere Dioden: Kapazitäts, Schottky, Tunnel, Leucht-,Foto-, Diac-Diode
Halbleiterschalter
- Thyristor
- Anwendungen: Phasenanschnittsteuerung
- Triac
- Anwendungen: Phasenanschnittsteuerung
Bipolartransistor
- Physikalische Wirkungsweise
- Mathematische Beschreibung: Großsignalverhalten
- Mathematische Beschreibung: Kleinsignalverhalte
- Grundschaltungen (Emitter-, Kollektor-, Basisschaltung)
- Anwendungen: Konstantstromquelle, Differenzverstärker (Operationsverstärker), Darlington, Stromspiegel, Optokoppler
Feldeffekttransistor
- Physikalische Wirkungsweise
- Grundtypen (J-FET, selbstleitender und selbstsprerrender MOS-FET)
- Grundschaltungen
- Anwendungen: Konstantstromqelle, Gate Turn-Off Thyristor (GTO), Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
Operationsverstärker
- grundsätzlicher Aufbau
- Grundschaltungen (Verstärker [invertierend/nicht-invertierend] Addierer, Spannungsfolger, Differenzierer, Integrierer, usw.)
- Mitkopplung (Schmitt-Trigger, Rechteckoszillator)
- Realisierung von DGLs
Digitaltechnik
- DA- und AD-Umsetzung
- Schaltalgebra
- Schaltnetze
- Schaltwerke
Einführung in elektrotechnische Simulationen (PSPICE)

1. Vorlesung

Die Studierenden sind in der Lage:

mit nichtlinearen Widerständen und gewöhnlichen Halbleiterdioden umzugehen und diese anzuwenden,
das Verhalten unterschiedlicher Diodentypen (Gleichrichterdioden, Z-Dioden, Kapazitätsdioden usw.) zu verstehen und in Schaltungen sicher anwenden zu können,
das Verhalten unterschiedlicher Halbleiterschalter zu verstehen und anwenden zu können,
das Groß- und Kleinsignalverhalten von Bipolartransistoren in Schaltungen sicher anwenden zu können,
das Groß- und Kleinsignalverhalten von Feldeffekttransistoren (J-FET und MOS-FET) in Schaltungen sicher anwenden zu können,
das Prinzip der Gegenkopplung beim Operationsverstärker und dessen Anwendungen sicher anwenden zu können,
das Prinzip der Mitkopplung beim Operationsverstärker und dessen Anwendungen sicher anwenden zu können
Schaltkreise mit Schaltnetzen und Schaltwerken auszulegen

2. Übung

Die Studierenden sind in der Lage:

mit nichtlinearen Widerständen und gewöhnlichen Halbleiterdioden, Z-Dioden und anderen Diodentypen zu rechnen und elektrische Schaltungen aufzubauen und zu analysieren,
mit Bipolartransistoren im Groß- und Kleinsignalbereich arbeiten und rechnen zu können,
eigene Schaltungen mit Bipolartransistoren zu realisieren,
mit Feldeffekttransistoren (J-FET und MOS-FET) im Groß- und Kleinsignalbereich zu arbeiten und zu rechnen,
eigene Schaltungen mit Feldeffekttransistoren zu realisieren,
das Prinzip der Gegenkopplung beim Operationsverstärker und ihre Anwendungen zu rechnen und anwenden zu können,
Differentialgleichungen aus elektrischen Schaltungen abzuleiten und Differentialgleichungen mit Operationsverstärkern nachzubilden,
Schaltkreise mit Schaltnetzen aufzubauen und eine Schaltungsoptimierung mit Zuhilfenahme des KV-Diagramms zu realisieren,
die Funktionsweise von Flipflops zu erklären.

Keine